"锗二极管"原理概念

锗二极管具有正向电阻小，导通电压低特点，一般制成点接触的小功率二极管．主要用于信号检测，取样等。
硅二极管和锗二极管的电路性质相同，制造工艺也相同。由于材料的差异，硅二极管的热稳定性好，锗二极管的热稳定性稍差，它们的不同主要表以下几个方面。
(1)锗二极管的正向导通压降小，硅二极管的正向导通压降大；锗二极管的死区电压小(O.2V)，硅二极管的死区电压大(0.5V)。
(2)锗二极管的反向电流大；硅二极管反向电流小，性能稳
(3)温度变化对锗二极管影响较大，而对硅二极管影响较小。硅管比锗管耐高温性好。
(4)锗二极管的反向击穿电压低，硅二极管的反向击穿电压高。
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